CTLDM8120-M832DS TR
| 工場モデル | CTLDM8120-M832DS TR |
|---|---|
| メーカー | Central Semiconductor Corp |
| 詳細な説明 | MOSFET DUAL N-CHANNEL |
| パッケージ | TLM832DS |
| 株式 | 4967 pcs |
| データシート | CTLDM8120-M832DSRoHS CertMult Dev EOL 5/Apr/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TLM832DS |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 950mA, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 1.65W |
| パッケージ/ケース | 8-TDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 200pF @ 16V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.56nC @ 4.5V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 860mA (Ta) |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | CTLDM8120 |
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