CSICD10-650 BK

工場モデル	CSICD10-650 BK
メーカー	Central Semiconductor Corp
詳細な説明	DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
パッケージ	DPAK
株式	4754 pcs
データシート	RoHS Cert CSICyyy 04/Feb/2020 CSICD10-650

提案された価格（米ドルでの測定）

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規格

製品属性	属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	1.7 V @ 10 A
電圧 - 逆（VR）（最大）	650 V
技術	SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ	DPAK
速度	No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ	-
逆回復時間（trrの）	0 ns

製品属性	属性値
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ	Tube
動作温度 - ジャンクション	-55°C ~ 175°C
装着タイプ	Surface Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース	125 µA @ 650 V
電流 - 平均整流（イオ）	10A
Vrと、F @キャパシタンス	325pF @ 1V, 1MHz

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