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Central Semiconductor Corp

CP802-CWDM3011P-CT

工場モデル CP802-CWDM3011P-CT
メーカー Central Semiconductor Corp
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 11A DIE
パッケージ Die
株式 5787 pcs
データシート RoHS CertCP802-CWDM3011P
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのCentral Semiconductor Corpシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5787のCentral Semiconductor Corp CP802-CWDM3011P-CTの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ Die
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 13mOhm @ 1A, 10V
電力消費（最大） -
パッケージ/ケース Die
パッケージ Tray
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3100 pF @ 8 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 80 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 11A (Ta)
基本製品番号 CP802

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データシート

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