CP375-CWDM3011N-WN

工場モデル	CP375-CWDM3011N-WN
メーカー	Central Semiconductor Corp
詳細な説明	MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
パッケージ	Die
株式	6227 pcs
データシート

提案された価格（米ドルでの測定）

納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのCentral Semiconductor Corpシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6227のCentral Semiconductor Corp CP375-CWDM3011N-WNの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性	属性値
同上@ VGS（TH）（最大）	3V @ 250µA
Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ	Die
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	20mOhm @ 11A, 10V
電力消費（最大）	2.5W
パッケージ/ケース	Die
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)

製品属性	属性値
装着タイプ	Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	860 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	6.3 nC @ 5 V
FETタイプ	N-Channel
FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	11A (Ta)

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