2N5115
| 工場モデル | 2N5115 |
|---|---|
| メーカー | Central Semiconductor Corp |
| 詳細な説明 | JFET P-CH 30V TO18 |
| パッケージ | TO-18 |
| 株式 | 3924 pcs |
| データシート | 2N5114 - 2N5116Mult Dev EOL 18/Jan/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - イド@カットオフ（VGSオフ） | 3 V @ 1 nA |
| 電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） | 30 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-18 |
| シリーズ | - |
| 抵抗 - RDS（ON） | 100 Ohms |
| 電力 - 最大 | 500 mW |
| パッケージ/ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 25pF @ 15V |
| FETタイプ | P-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 電圧Vds（VGS = 0）@ドレイン（IDSS） | 15 mA @ 15 V |
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