FCP1913H104G-E2
工場モデル | FCP1913H104G-E2 |
---|---|
メーカー | Cornell Dubilier Electronics (CDE) |
詳細な説明 | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 |
パッケージ | 1913 (4833 Metric) |
株式 | 112190 pcs |
データシート | FCP TypeCylindrical Battery Holders |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 50 | 100 | 500 | 1000 | 2500 | 5000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.8 | $0.646 | $0.564 | $0.493 | $0.376 | $0.329 | $0.317 | $0.305 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのCornell Dubilier Electronics (CDE)シリーズの電子コンポーネントを専門としています。112190のCornell Dubilier Electronics (CDE) FCP1913H104G-E2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
定格電圧 - DC | 50V |
定格電圧 - AC | - |
公差 | ±2% |
終了 | Solder Pads |
サイズ/寸法 | 0.189' L x 0.130' W (4.80mm x 3.30mm) |
シリーズ | FCP |
評価 | - |
パッケージ/ケース | 1913 (4833 Metric) |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 125°C |
装着タイプ | Surface Mount |
リード間隔 | - |
高さ - 着席(最大) | 0.083' (2.10mm) |
特徴 | - |
誘電材料 | Polyphenylene Sulfide (PPS) |
キャパシタンス | 0.1 µF |
アプリケーション | High Frequency, Switching |
おすすめ商品
-
FCP190N65S3
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3onsemi -
FCP1913H563G-E2
CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP1913H473J
CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP1913H104J-E2
CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP190N60-GF102
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3Fairchild Semiconductor -
FCP1913H104J-E3
CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP190N65F
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3onsemi -
FCP1913H563G-E1
CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP1913H563G
CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP170N60
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3Fairchild Semiconductor -
FCP190N60-GF102
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3onsemi -
FCP190N60E
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEonsemi -
FCP1913H473G-E1
CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP1913H104G
CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP190N65F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Fairchild Semiconductor -
FCP1913H104G-E3
CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP190N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3onsemi -
FCP1913H473J-E1
CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP1913H473G
CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913Cornell Dubilier Electronics (CDE) -
FCP190N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3onsemi