ALD111933PAL
| 工場モデル | ALD111933PAL |
|---|---|
| メーカー | Advanced Linear Devices Inc. |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| パッケージ | 8-PDIP |
| 株式 | 16819 pcs |
| データシート | ALD111933 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 50 |
|---|
| $2.355 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.35V @ 1µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP |
| シリーズ | EPAD® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 500Ohm @ 5.9V |
| 電力 - 最大 | 500mW |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2.5pF @ 5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 10.6V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| 基本製品番号 | ALD111933 |
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