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SVD5865NLT4G

工場モデル SVD5865NLT4G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
パッケージ DPAK-3
株式 264883 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
2500 5000 12500 25000
$0.139 $0.132 $0.127 $0.123
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。264883のonsemi SVD5865NLT4Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK-3
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 16mOhm @ 19A, 10V
電力消費（最大） 3.1W (Ta), 71W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1400 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 29 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Ta), 46A (Tc)
基本製品番号 SVD5865

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