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SNCV5700DR2G

工場モデル SNCV5700DR2G
メーカー onsemi
詳細な説明 HIGH CURRENT IGBT GATE DR
パッケージ 16-SOIC
株式 135120 pcs
データシート Material Declaration SNCV5700DR2Gonsemi REACHonsemi RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 25 100 250 500 1000
$0.632 $0.568 $0.535 $0.456 $0.428 $0.375 $0.311
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。135120のonsemi SNCV5700DR2Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電源電圧 - 12.5V ~ 20V
サプライヤデバイスパッケージ 16-SOIC
シリーズ -
立上り/立下り時間（Typ） 9.2ns, 7.9ns
パッケージ/ケース 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -40°C ~ 125°C (TA)
入力周波数 2
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
ロジック電圧 - VIL、VIH 0.75V, 4.3V
入力タイプ Inverting
ゲートタイプ IGBT
駆動構成 High-Side or Low-Side
電流 - ピーク出力（ソース、シンク） 7.8A, 6.8A
ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） Synchronous
基本製品番号 SNCV5700

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