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SI4435DY

工場モデル SI4435DY
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
パッケージ 8-SOIC
株式 189561 pcs
データシート Mold Compound 12/Dec/2007Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018onsemi REACHonsemi RoHSWafer Fab 02/Aug/2020SI4435DY
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.399 $0.358 $0.279 $0.23 $0.182
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。189561のonsemi SI4435DYの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 20mOhm @ 8.8A, 10V
電力消費（最大） 2.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1604 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 24 nC @ 5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8.8A (Ta)
基本製品番号 SI4435

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データシート

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