NXH010P120MNF1PG
| 工場モデル | NXH010P120MNF1PG |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO |
| パッケージ | Module |
| 株式 | 643 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 |
|---|
| $55.603 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。643のonsemi NXH010P120MNF1PGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.3V @ 40mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 100A, 20V |
| 電力 - 最大 | 250W (Tj) |
| パッケージ/ケース | Module |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4707pF @ 800V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 454nC @ 20V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET特長 | Silicon Carbide (SiC) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 114A (Tc) |
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