NVGS3130NT1G
| 工場モデル | NVGS3130NT1G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP |
| パッケージ | 6-TSOP |
| 株式 | 252654 pcs |
| データシート | onsemi RoHSNTGS3130N, NVGS3130N |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 3000 | 6000 | 15000 |
|---|---|---|
| $0.179 | $0.17 | $0.163 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 600mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 935 pF @ 16 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20.3 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.2A (Ta) |
| 基本製品番号 | NVGS3130 |
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