NVF6P02T3G
工場モデル | NVF6P02T3G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223 |
パッケージ | SOT-223 (TO-261) |
株式 | 192501 pcs |
データシート | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016onsemi REACHonsemi RoHSNTF6P02, NVF6P02Wire Bond 04/Dec/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.485 | $0.436 | $0.34 | $0.281 | $0.221 | $0.207 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 (TO-261) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 50mOhm @ 6A, 4.5V |
電力消費(最大) | 8.3W (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1200 pF @ 16 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Ta) |
基本製品番号 | NVF6P02 |
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