NVD6416ANLT4G-VF01
工場モデル | NVD6416ANLT4G-VF01 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3 |
パッケージ | DPAK-3 |
株式 | 221471 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSNTD6416ANLDPAK Assembly Site Add 8/Sep/2016 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.423 | $0.379 | $0.295 | $0.244 | $0.193 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK-3 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 74mOhm @ 19A, 10V |
電力消費(最大) | 71W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1000 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 40 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 19A (Tc) |
基本製品番号 | NVD6416 |
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