Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > NVD20N03L27T4G
NVD20N03L27T4G Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

NVD20N03L27T4G

工場モデル NVD20N03L27T4G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
パッケージ DPAK
株式 6906 pcs
データシート NTD20N03L27, NVD20N03L27G700HF Dev Mold Chg 10/Sep/2018EOL 23/Dec/2016Mult Dev EOL 08/Jul/2021onsemi REACHonsemi RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6906のonsemi NVD20N03L27T4Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 27mOhm @ 10A, 5V
電力消費（最大） 1.75W (Ta), 74W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1260 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 18.9 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4V, 5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20A (Ta)
基本製品番号 NVD20N

おすすめ商品

NVD20N03L27T4G データテーブルPDF

データシート

NVD20N03L27T4Gに関連した語彙

NVD20N03L27T4G関連コンポーネント