NTY100N10
工場モデル | NTY100N10 |
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メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 123A TO264 |
パッケージ | TO-264 |
株式 | 4930 pcs |
データシート | Multiple Devices 20/Aug/2008onsemi REACHonsemi RoHSNTY100N10 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 313W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
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装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 10110 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 350 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 123A (Tc) |
基本製品番号 | NTY100 |
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