NTTFS6H860NTAG
工場モデル | NTTFS6H860NTAG |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | TRENCH 8 80V NFET |
パッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) |
株式 | 161546 pcs |
データシート | Wafer Fab Change 17/Oct/2022NTTFS6H860N |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$0.496 | $0.443 | $0.345 | $0.285 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。161546のonsemi NTTFS6H860NTAGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 30µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 21.1mOhm @ 5A, 10V |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 46W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 510 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Ta), 30A (Tc) |
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