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onsemi

NTTFS1D2N02P1E

工場モデル NTTFS1D2N02P1E
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
パッケージ 8-PQFN (3.3x3.3)
株式 86007 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHSNTTFS1D2N02P1E
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.924 $0.83 $0.667 $0.548 $0.454
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。86007のonsemi NTTFS1D2N02P1Eの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 934µA
Vgs（最大） +16V, -12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN (3.3x3.3)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1mOhm @ 38A, 10V
電力消費（最大） 820mW (Ta), 52W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4040 pF @ 13 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 24 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 25 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 23A (Ta), 180A (Tc)
基本製品番号 NTTFS1

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