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NTTD1P02R2G

工場モデル NTTD1P02R2G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
パッケージ 8-MSOP
株式 6080 pcs
データシート Multiple Devices 06/Oct/2006onsemi REACHonsemi RoHSNTTD1P02R2
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6080のonsemi NTTD1P02R2Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.4V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-MSOP
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 160mOhm @ 1.45A, 4.5V
電力 - 最大 500mW
パッケージ/ケース 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 265pF @ 16V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 10nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.45A
コンフィギュレーション 2 P-Channel (Dual)
基本製品番号 NTTD1

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データシート

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