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NTS2101PT1

工場モデル NTS2101PT1
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
パッケージ SC-70-3 (SOT323)
株式 5116 pcs
データシート Multiple Devices 03/Jan/2008onsemi REACHonsemi RoHSNTS2101P
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5116のonsemi NTS2101PT1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SC-70-3 (SOT323)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 100mOhm @ 1A, 4.5V
電力消費（最大） 290mW (Ta)
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 640 pF @ 8 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 6.4 nC @ 5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 8 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.4A (Ta)
基本製品番号 NTS210

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データシート

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