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NTR1P02T1

工場モデル NTR1P02T1
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 4571 pcs
データシート Multiple Devices 20/Aug/2008onsemi REACHonsemi RoHSCopper Wire 26/May/2009N(T,V)R1P02
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4571のonsemi NTR1P02T1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 180mOhm @ 1.5A, 10V
電力消費（最大） 400mW (Ta)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 165 pF @ 5 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 2.5 nC @ 5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1A (Ta)
基本製品番号 NTR1P0

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データシート

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