NTQD6866R2
| 工場モデル | NTQD6866R2 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| パッケージ | 8-TSSOP |
| 株式 | 6933 pcs |
| データシート | Multiple Devices 06/Oct/2006onsemi REACHonsemi RoHSNTQD6866R2 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 32mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 940mW |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400pF @ 16V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.7A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | NTQD68 |
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