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NTP8G202NG

工場モデル NTP8G202NG
メーカー onsemi
詳細な説明 GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
パッケージ TO-220
株式 5307 pcs
データシート NTP8G202N1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018Mult Devices EOL 126/Jul/2018onsemi REACHonsemi RoHS
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5307のonsemi NTP8G202NGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.6V @ 500µA
Vgs(最大) ±18V
技術 GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 350mOhm @ 5.5A, 8V
電力消費(最大) 65W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 760 pF @ 400 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 8V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
基本製品番号 NTP8G2

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NTP8G202NG データテーブルPDF

データシート