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NTMSD3P102R2SG

工場モデル NTMSD3P102R2SG
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
パッケージ 8-SOIC
株式 5246 pcs
データシート Multiple Devices 17/Apr/2015onsemi REACHonsemi RoHSNTMSD3P102R2Copper Wire 12/May/2009
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5246のonsemi NTMSD3P102R2SGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ FETKY™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 85mOhm @ 3.05A, 10V
電力消費（最大） 730mW (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 750 pF @ 16 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 25 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.34A (Ta)
基本製品番号 NTMSD3

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