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NTMS10P02R2 Image
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NTMS10P02R2

工場モデル NTMS10P02R2
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
パッケージ 8-SOIC
株式 5809 pcs
データシート Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008Multiple Devices 11/Feb/2009onsemi REACHonsemi RoHSNTMS10P02R2
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5809のonsemi NTMS10P02R2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.2V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 14mOhm @ 10A, 4.5V
電力消費（最大） 1.6W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3640 pF @ 16 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 70 nC @ 4.5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8.8A (Ta)
基本製品番号 NTMS10

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