NTMFS1D7N03CGT1G
工場モデル | NTMFS1D7N03CGT1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO |
パッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
株式 | 66800 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSWafer Fab Change 17/Oct/2022NTMFS1D7N03CG |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$0.942 | $0.847 | $0.68 | $0.559 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 90µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.74mOhm @ 18A, 10V |
電力消費(最大) | 3.8W (Ta), 87W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3780 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 48 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Ta), 170A (Tc) |
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