NTLUS4C12NTAG
| 工場モデル | NTLUS4C12NTAG |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 6.8A 6UDFN |
| パッケージ | 6-UDFN (2x2) |
| 株式 | 5607 pcs |
| データシート | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016Mult Dev EOL 01/Oct/2021onsemi REACHonsemi RoHSNTLUS4C12NNTLUS4C12NTAG Assembly Add 7/May/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-UDFN (2x2) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 9A, 10V |
| 電力消費（最大） | 630mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1172 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 3.3V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.8A (Ta) |
| 基本製品番号 | NTLUS4 |
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