NTHS5402T1
工場モデル | NTHS5402T1 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
パッケージ | ChipFET™ |
株式 | 6046 pcs |
データシート | NTHS5402T1Multiple Devices 25/Jul/2003onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | ChipFET™ |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 35mOhm @ 4.9A, 10V |
電力消費(最大) | 1.3W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.9A (Ta) |
基本製品番号 | NTHS54 |
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