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NTF6P02T3G

工場モデル NTF6P02T3G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
パッケージ SOT-223 (TO-261)
株式 189761 pcs
データシート Datasheet MSL Updated 2/April/2007Covering Tape/Material Chg 20/May/2016Multiple Devices 14/Apr/2010Multiple Devices Update 08/Apr/2011onsemi RoHSBond Wire 13/Nov/2020NTF6P02, NVF6P02
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$0.518 $0.463 $0.361 $0.298 $0.235 $0.22
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。189761のonsemi NTF6P02T3Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223 (TO-261)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 50mOhm @ 6A, 4.5V
電力消費（最大） 8.3W (Ta)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1200 pF @ 16 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 20 nC @ 4.5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Ta)
基本製品番号 NTF6P02

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データシート

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