NTD4963N-35G
工場モデル | NTD4963N-35G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A IPAK |
パッケージ | I-PAK |
株式 | 4872 pcs |
データシート | Multiple Devices 17/Apr/2015onsemi REACHonsemi RoHSQualification Multiple Devices 24/Sep/2013NTD4963N |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.6mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大) | 1.1W (Ta), 35.7W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1035 pF @ 12 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16.2 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8.1A (Ta), 44A (Tc) |
基本製品番号 | NTD49 |
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