NTD4863N-1G
工場モデル | NTD4863N-1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK |
パッケージ | I-PAK |
株式 | 5640 pcs |
データシート | Multiple Devices 07/Jul/2010onsemi REACHonsemi RoHSNTD4863N |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.3mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大) | 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 990 pF @ 12 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13.5 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.2A (Ta), 49A (Tc) |
基本製品番号 | NTD48 |
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