Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > NTD4809N-1G
NTD4809N-1G Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

NTD4809N-1G

工場モデル NTD4809N-1G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
パッケージ I-PAK
株式 5934 pcs
データシート N(T,V)D4809NMultiple Devices 07/Jul/2010onsemi REACHonsemi RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5934のonsemi NTD4809N-1Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I-PAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 9mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大） 1.4W (Ta), 52W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1456 pF @ 12 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 13 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 11.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.6A (Ta), 58A (Tc)
基本製品番号 NTD48

おすすめ商品

NTD4809N-1G データテーブルPDF

データシート

NTD4809N-1Gに関連した語彙

NTD4809N-1G関連コンポーネント