NTD32N06T4G
工場モデル | NTD32N06T4G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 32A DPAK |
パッケージ | DPAK |
株式 | 4631 pcs |
データシート | Multiple Devices 21/Jan/2010onsemi RoHSNTD32N06 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 26mOhm @ 16A, 10V |
電力消費(最大) | 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1725 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 60 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 32A (Ta) |
基本製品番号 | NTD32 |
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