NTD2955-1G
| 工場モデル | NTD2955-1G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK |
| パッケージ | I-PAK |
| 株式 | 5023 pcs |
| データシート | Mult Dev EOL 7/Apr/2021NTD,NVD2955NTD,NVD2955onsemi REACHonsemi RoHSTMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 6A, 10V |
| 電力消費（最大） | 55W (Tj) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 750 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta) |
| 基本製品番号 | NTD2955 |
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