NTD20N03L27-001
| 工場モデル | NTD20N03L27-001 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 20A IPAK |
| パッケージ | I-PAK |
| 株式 | 5744 pcs |
| データシート | NTD20N03L27, NVD20N03L27Multiple Devices 30/Jun/2006onsemi RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5744のonsemi NTD20N03L27-001の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 27mOhm @ 10A, 5V |
| 電力消費（最大） | 1.75W (Ta), 74W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1260 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18.9 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Ta) |
| 基本製品番号 | NTD20 |
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