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onsemi

NTC020N120SC1

工場モデル NTC020N120SC1
メーカー onsemi
詳細な説明 SIC MOS WAFER SALES 20MOHM 1200V
パッケージ Die
株式 3026 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
1
$14.894
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3026のonsemi NTC020N120SC1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.3V @ 20mA
Vgs（最大） +25V, -15V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ Die
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 28mOhm @ 60A, 20V
電力消費（最大） 535W (Tc)
パッケージ/ケース Die
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2890 pF @ 800 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 203 nC @ 20 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 20V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 1200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 103A (Tc)

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