NTB65N02RT4G
| 工場モデル | NTB65N02RT4G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK |
| パッケージ | D2PAK |
| 株式 | 5241 pcs |
| データシート | Multiple Devices 19/Dec/2008onsemi REACHonsemi RoHSNTB,NTP65N02R |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5241のonsemi NTB65N02RT4Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.2mOhm @ 30A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1330 pF @ 20 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.5 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.6A (Tc) |
| 基本製品番号 | NTB65 |
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