NSBA123JDXV6T1G
工場モデル | NSBA123JDXV6T1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
パッケージ | SOT-563 |
株式 | 5772 pcs |
データシート | NSBA114EDXV6T1,5 SeriesMultiple Devices 03/Apr/2007onsemi RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 250mV @ 300µA, 10mA |
トランジスタ型式 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 47kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 2.2kOhms |
電力 - 最大 | 500mW |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
装着タイプ | Surface Mount |
周波数 - トランジション | - |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 80 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
基本製品番号 | NSBA123 |
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