NSB13211DW6T1G
工場モデル | NSB13211DW6T1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88 |
パッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
株式 | 4824 pcs |
データシート | Multiple Devices 19/Dec/2008onsemi RoHSNSB13211DW6T1G |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA |
トランジスタ型式 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 4.7kOhms, 10kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 4.7kOhms, 10kOhms |
電力 - 最大 | 230mW |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
装着タイプ | Surface Mount |
周波数 - トランジション | - |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
基本製品番号 | NSB132 |
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