Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > NDT456P
NDT456P Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

NDT456P

工場モデル NDT456P
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
パッケージ SOT-223-4
株式 91876 pcs
データシート Wafer Fab Site Add 24/Nov/2016Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSMarking Lay-out Implementation 07/Oct/2022Marking Lay-out Implementation 17/Nov/2021Identification Change 07/Oct/2022NDT456P
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$0.983 $0.883 $0.709 $0.583 $0.483 $0.45
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。91876のonsemi NDT456Pの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223-4
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 30mOhm @ 7.5A, 10V
電力消費(最大) 3W (Ta)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1440 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 67 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7.5A (Ta)
基本製品番号 NDT456

おすすめ商品

NDT456P データテーブルPDF

データシート