NDS352P
工場モデル | NDS352P |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3 |
パッケージ | SOT-23-3 |
株式 | 6449 pcs |
データシート | NDS352Ponsemi RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 350mOhm @ 1A, 10V |
電力消費(最大) | 500mW (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 125 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4 nC @ 5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 850mA (Ta) |
基本製品番号 | NDS352 |
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