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NDB6030PL

工場モデル NDB6030PL
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 5695 pcs
データシート Description Chg 01/Apr/2016Wafer Fab Site Add 24/Nov/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/20171Q2018 Product EOL 31/Mar/2018onsemi REACHonsemi RoHSTO263 Dev Pkg Chg 24/May/2018NDP6030PL, NDB6030PL
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5695のonsemi NDB6030PLの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
Vgs（最大） ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 25mOhm @ 19A, 10V
電力消費（最大） 75W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -65°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1570 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 36 nC @ 5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 30A (Tc)
基本製品番号 NDB603

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データシート

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