NCP5181DR2G
| 工場モデル | NCP5181DR2G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| パッケージ | 8-SOIC |
| 株式 | 56135 pcs |
| データシート | 2.73KHzCylindrical Battery HoldersNCP5181Cylindrical Battery HoldersMaterial Declaration NCP5181DR2Gonsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 |
|---|
| $0.851 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。56135のonsemi NCP5181DR2Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| シリーズ | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 40ns, 20ns |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力周波数 | 2 |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.3V |
| 入力タイプ | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET |
| 駆動構成 | Half-Bridge |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1.4A, 2.2A |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent |
| 基本製品番号 | NCP5181 |
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