NCP5111DR2G
| 工場モデル | NCP5111DR2G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| パッケージ | 8-SOIC |
| 株式 | 150469 pcs |
| データシート | NCP5111Copper Wire Update 13/Jan/2015Mult Dev 20/Dec/2022Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018Copper Wire Revision 24/Feb/2015NCP5111Material Declaration NCP5111DR2Gonsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.493 | $0.441 | $0.419 | $0.344 | $0.322 | $0.284 | $0.224 |
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| シリーズ | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 85ns, 35ns |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 入力周波数 | 2 |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.3V |
| 入力タイプ | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 駆動構成 | Half-Bridge |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous |
| 基本製品番号 | NCP5111 |
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