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MVB50P03HDLT4G

工場モデル MVB50P03HDLT4G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
パッケージ D²PAK
株式 5714 pcs
データシート MTB50P03HDL, MVB50P03HDLT4G1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018onsemi RoHSMold Compound 10/Nov/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5714のonsemi MVB50P03HDLT4Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
Vgs（最大） ±15V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 25mOhm @ 25A, 5V
電力消費（最大） 125W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Bulk
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4900 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 100 nC @ 5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 50A (Tc)
基本製品番号 MVB50

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