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MMDF3N02HDR2G

工場モデル MMDF3N02HDR2G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
パッケージ 8-SOIC
株式 6695 pcs
データシート Multiple Devices 14/Apr/2010onsemi REACHonsemi RoHSMMDF3N02HD
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6695のonsemi MMDF3N02HDR2Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 90mOhm @ 3A, 10V
電力消費(最大) 2W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 630 pF @ 16 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 18 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.8A (Ta)
基本製品番号 MMDF3

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MMDF3N02HDR2G データテーブルPDF

データシート