Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > MGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1G Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

MGSF2N02ELT1G

工場モデル MGSF2N02ELT1G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
株式 792152 pcs
データシート SOT23 16/Sep/2016onsemi RoHSMold Compound 07/Sep/2019SOT-23 Pkgs MOSFETS Copper to Gold Wire 8/Dec/2015MGSF2N02EL, MVSF2N02EL
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.185 $0.149 $0.102 $0.076 $0.057
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。792152のonsemi MGSF2N02ELT1Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1V @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
電力消費（最大） 1.25W (Ta)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 150 pF @ 5 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 3.5 nC @ 4 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.8A (Ta)
基本製品番号 MGSF2

おすすめ商品

MGSF2N02ELT1G データテーブルPDF

データシート

MGSF2N02ELT1Gに関連した語彙

MGSF2N02ELT1G関連コンポーネント