MBR860MFST1G
| 工場モデル | MBR860MFST1G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | DIODE SCHOTTKY 60V 8A 5DFN |
| パッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| 株式 | 5352 pcs |
| データシート | Mult Dev EOL 08/Jul/2021onsemi RoHSMult Dev Material/Wafer Chg 7/Mar/2018Mult Dev Wafer Fab/Material Chg 3/May/2018MBR860MFS, NRVB860MFS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 800 mV @ 8 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 60 V |
| 技術 | Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 150 µA @ 60 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 8A |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 基本製品番号 | MBR860 |
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