ISL9R8120P2
工場モデル | ISL9R8120P2 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L |
パッケージ | TO-220-2L |
株式 | 6700 pcs |
データシート | Multiple Devices 11/Mar/2013onsemi REACHonsemi RoHSISL9R8120P2, ISL9R8120S3S |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6700のonsemi ISL9R8120P2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 3.3 V @ 8 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1200 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2L |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | Stealth™ |
逆回復時間(trrの) | 300 ns |
パッケージ/ケース | TO-220-2 |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 µA @ 1200 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 8A |
Vrと、F @キャパシタンス | 30pF @ 10V, 1MHz |
基本製品番号 | ISL9 |
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