IRLW610ATM
工場モデル | IRLW610ATM |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK |
パッケージ | I2PAK (TO-262) |
株式 | 5120 pcs |
データシート | IRLW, I610Aonsemi RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.5Ohm @ 1.65A, 5V |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 33W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 240 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.3A (Tc) |
基本製品番号 | IRLW61 |
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